나노 품질 측정 검사

Ⅰ측정 기초

1. 측정 개념/ 8

2. 길이, 각도, 기하공차 측정/ 19

3. 3차원 측정 기술/ 23

정리 노트/ 41

대단원 평가/ 42

Ⅱ나노 측정 장비

1. 측정 장비의 이해/ 46

2. 입자 측정 장비/ 55

3. 패턴 장비 측정 장비/ 60

4. 두께 측정 장비/ 63

5. CD SEM 측정 장비/ 66

6. 오버레이 장비/ 71

7. 2차 이온 질량 분광 광도 측정(SIMS)/ 74

8. 원자 힘 현미경(AFM)/ 77

9. 오제 전자 분광학(AES)/ 85

10. X-선 광전자 분광학(XPS)/ 88

11. 투과 전자 현미경(TEM)/ 91

12. 에너지와 파장이 분산하는 분광계(EDX, WDX)/ 97

정리 노트/ 100

대단원 평가/ 102

Ⅲ 반도체 소자 측정

1. 실리콘 웨이퍼 제조 품질 측정/ 106

2. 도량형학과 결함 검사/ 111

정리 노트/ 132

대단원 평가/ 134

Ⅳ 반도체 공정 측정 검사

1. IC 제조 공정/ 138

2. 산화 공정/ 140

3. 증착법/ 143

4. 금속화 공정/ 146

5. 포토리소그래피/ 149

6. 포토리소그래피 정렬과 노출/ 152

7. 현상 품질 측정 및 고장 진단/ 156

8. 식각/ 159

9. 이온 주입/ 162

10. CMP(화학적・기계적 연마)/ 165

11. 웨이퍼 검사/ 169

12. 조립과 포장/ 197

정리 노트/ 200

대단원 평가/ 202

Ⅴ 나노 품질 측정 실습

1. 홀 효과 측정/ 206

2. 전위 밀도 측정/ 210

4. 도핑 깊이 측정/ 215

5. 밴드 갭 측정/ 217

6. 반도체 소자 I-V 측정/ 222

7. MOS 소자 C-V 측정/ 226

8. 알파 스텝 두께 측정/ 233

9. 엘립소미터/ 237

10. 분광 광도계/ 240

11. 웨이퍼 육안 검사/ 242

12. 투명 전도막 제작/ 244

13. 확산 도핑/ 247

14. 실리콘 단결정 성장/ 252

15. 웨이퍼 연마/ 257

16. 웨이퍼 세정/ 261

정리 노트/ 264